Aus den 4-Gigabit-DDR3-Speicherchips, die Samsung nun mit einer 50-Nanometer-Fertigungstechnik produziert, stellt das koreanische Unternehmen nun nach eigenen Angaben auch besonders sparsame Speichermodule mit hoher Kapazität her: In Quad-Die-Packages (QDP) vereint die Firma jeweils vier 4-GBit-Chips zu einem 16-GBit-Bauelement und lötet auf jede Seite der DIMM-Platine jeweils neun Stück davon. Daraus ergibt sich eine Kapazität von 32 GByte für ein einziges Modul samt zusätzlicher Kapazität für ECC.
Die 50-nm/4-GBit-Chips von Samsung arbeiten statt mit den für DDR3-SDRAM spezifizierten 1,5 Volt Betriebsspannung mit 1,35 Volt; dadurch soll ihre Leistungsaufnahme deutlich sinken. Solche Low-Power-(LP-)DIMMs funktionieren nicht auf allen Mainboards oder bringen keine Vorteile, wenn sich die DRAM-Betriebsspannung nicht absenken lässt.

Im März hatte Samsung mit dem M393B2K70BM1-CF7 bereits ein 16-GByte-RDIMM mit vier Ranks angekündigt, das mit 2-GBit-Chips in Dual-Cie-Packages (DDP) bestückt ist. Einige US-amerikanische Distributoren nennen dafür Preise um 1900 US-Dollar; es ist auch in der Kompatibilitätsliste für Intels Xeon-5500-Prozessoren aufgetaucht. Von diesen DDR3-1066/PC3-8500-RDIMM mit vier Ranks (QR) verkraftet ein solcher Prozessor aber nur eines pro Speicherkanal, also insgesamt drei pro CPU oder sechs auf einem Dual-Socket-Serverboard (96 GByte). Mit 4-GBit-Chips werden nun aber auch Dual-Rank-(DR-)DIMMs mit 16 GByte Kapazität möglich – damit könnten zwei Module pro Nehalem-Xeon-Speicherkanal und 192 GByte möglich werden, sofern die aktuellen Nehalem-Xeons überhaupt 4-GBit-Chips adressieren können.

Die Firma Cisco setzt in ihrem UCS B250-M1 Extended Memory Blade Server übrigens Spezial-Pufferchips auf dem Mainboard ein, um 48 Speichermodule anzubinden. Dann sind 192 GByte mit vergleichsweise preiswerten 4-GByte-RDIMMs möglich.